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Transistor bipolare: il dispositivo principale per amplificare i segnali elettrici

Nello sviluppo dell'ingegneria elettrica ed elettronica sia domestica che mondiale, un ruolo chiave è stato svolto da un tale dispositivo a semiconduttore come un transistor bipolare.

Un transistor bipolare è un dispositivo che ha nel suocomposto da due giunzioni p-n interconnesse e realizzato sulla base di materiali semiconduttori. Questo tipo di transistor ha tre terminali. Le caratteristiche di amplificazione possedute da un transistor bipolare sono spiegate sulla base della conoscenza dell'arricchimento e dell'esaurimento delle piastre semiconduttrici con cariche (vengono eseguite rispettivamente le procedure di iniezione ed estrazione), nonché le leggi dell'elettromagnetismo.

Oggi ci sono due tipi principali di bipolaretransistor che si distinguono a seconda di come avviene l'alternanza di regioni di diversi tipi di conduttività nel campione di semiconduttore utilizzato: tipi n-p-n e p-n-p. È impossibile distinguere i vantaggi di un tipo rispetto a un altro, poiché la differenza tra questi tipi di transistor risiede solo in quale polarità della fonte di alimentazione esterna è collegata all'uno o all'altro terminale del dispositivo.

Un transistor è un dispositivo bipolare costituito da tre elementi principali: un collettore, un emettitore e una base. Di norma, un terminale è collegato a ciascuno degli elementi.

I transistor bipolari sono spesso classificati dala potenza dissipata prelevata dal collettore. Secondo questo parametro, i dispositivi sono suddivisi in transistor a bassa potenza (circa 0,3 W), medi (da 0,3 a un W e mezzo) e grandi (più di 1,5 W). Un altro principio di classificazione dei transistor è in base alla gamma di frequenza operativa. Con questo principio di separazione dei dispositivi si distinguono i dispositivi a bassa frequenza (fino a cinque MHz), media frequenza (da 5 MHz a 35 MHz), alta frequenza (da 35 MHz a 350 MHz) e microonde (oltre 350 MHz) transistor.

Ogni transistor bipolare è etichettatoin conformità con gli standard statali accettati. In genere, la designazione è composta da sei o sette caratteri (numeri o lettere). La marcatura deve indicare il tipo di materiale, il tipo del dispositivo stesso, le caratteristiche di frequenza e la potenza del dispositivo. Inoltre, contrassegnando, è possibile determinare il tipo e il numero di serie dello sviluppo del dispositivo. Pertanto, la designazione del transistor è un passaporto del dispositivo, che rivela tutte le caratteristiche chiave del dispositivo.

Esistono quattro principali modalità di funzionamento di un transistor bipolare:

  • modalità attiva, in cui si apre la transizione sull'emettitore e si chiude la transizione sul collettore;
  • cutoff, in cui entrambe le giunzioni (sia l'emettitore che il collettore) sono chiuse e non passano corrente nella direzione in avanti;
  • saturazione - una modalità opposta al taglio, in cui si aprono le transizioni sul collettore e sull'emettitore;
  • inversione (modalità inversa) - la fase in cui si apre la giunzione del collettore e l'emettitore viene spostato nella direzione opposta (non passa la corrente "in avanti").

A seconda di quale degli elettrodi(terminali) del transistor diventa comune negli stadi di amplificazione sia per la corrente di ingresso che di uscita, ci sono tre tipi principali di inclusione del dispositivo nel circuito: un transistor bipolare con emettitore, collettore o base comune. A seconda del tipo di commutazione del dispositivo utilizzato in una determinata fase, è possibile utilizzare vari vantaggi del transistor.

In conclusione, notiamo che oggi bipolarei transistor sono ampiamente utilizzati nell'ingegneria elettrica e nell'elettronica analogica. Questi dispositivi sono utilizzati in vari stadi di amplificazione, senza di loro non ci sarebbe la possibilità di creare un amplificatore operazionale, un dispositivo che ha permesso di creare una transizione dai circuiti analogici a quelli digitali. Pertanto, il transistor bipolare può essere considerato uno dei dispositivi a semiconduttore fondamentali che hanno posto le basi per lo sviluppo della moderna ingegneria elettrica.

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