국내외 전기 공학과 전자 공학의 발전에서 바이폴라 트랜지스터와 같은 반도체 장치가 핵심 역할을했다.
바이폴라 트랜지스터는두 개의 상호 연결된 p-n 접합으로 구성되며 반도체 재료를 기반으로 생성됩니다. 이 유형의 트랜지스터에는 세 개의 단자가 있습니다. 바이폴라 트랜지스터가 갖는 증폭 특성은 전하가있는 반도체 플레이트의 농축 및 고갈 (각각 주입 및 추출 절차가 수행됨)과 전자기 법칙에 대한 지식을 기반으로 설명됩니다.
오늘날 양극성에는 두 가지 주요 유형이 있습니다.사용 된 반도체 샘플에서 서로 다른 유형의 전도도 영역이 어떻게 번갈아 나타나는지에 따라 두드러지는 트랜지스터 : 유형 n-p-n 및 p-n-p. 한 유형의 장점을 다른 유형과 구별하는 것은 불가능합니다. 이러한 유형의 트랜지스터의 차이점은 외부 전원의 극성이 장치의 하나 또는 다른 단자에 연결되어 있다는 것입니다.
트랜지스터는 컬렉터, 이미 터 및베이스의 세 가지 주요 요소로 구성된 바이폴라 장치입니다. 일반적으로 하나의 터미널이 각 요소에 연결됩니다.
바이폴라 트랜지스터는 종종 다음과 같이 분류됩니다.수집기에서 가져온 소산 된 전력. 이 매개 변수에 따르면 장치는 저전력 트랜지스터 (약 0.3W), 중간 (0.3W에서 1.5W) 및 대형 (1.5W 이상)으로 나뉩니다. 트랜지스터 분류의 또 다른 원리는 작동 주파수 범위에 따른 것입니다. 이러한 장치 분리 원칙에 따라 장치는 저주파 (최대 5MHz), 중간 주파수 (5MHz ~ 35MHz), 고주파 (35MHz ~ 350MHz) 및 마이크로파 (350MHz 이상) 트랜지스터로 구분됩니다.
각 바이폴라 트랜지스터는허용 된 주 표준에 따라. 일반적으로 지정은 6 개 또는 7 개의 문자 (숫자 또는 문자)로 구성됩니다. 마킹은 재료의 유형, 장치 자체의 유형, 장치의 주파수 특성 및 전력을 나타내야합니다. 또한 마킹을 통해 장치 개발 유형 및 일련 번호를 결정할 수 있습니다. 따라서 트랜지스터의 지정은 장치의 모든 주요 특성을 나타내는 장치의 여권입니다.
바이폴라 트랜지스터의 작동에는 네 가지 주요 모드가 있습니다.
어느 전극에 따라(단자) 트랜지스터의 입력 및 출력 전류 모두에 대한 증폭 단계에서 공통이되고, 회로에 포함되는 세 가지 주요 유형의 장치가 있습니다. 공통 이미 터, 콜렉터 또는베이스가있는 바이폴라 트랜지스터입니다. 특정 단계에서 사용되는 장치 스위칭 유형에 따라 트랜지스터의 다양한 장점을 사용할 수 있습니다.
결론적으로, 우리는 오늘날 양극성트랜지스터는 전기 공학 및 아날로그 전자 제품에 널리 사용됩니다. 이러한 장치는 다양한 증폭 단계에서 사용됩니다. 이러한 장치가 없으면 연산 증폭기를 만들 가능성이 없습니다. 아날로그에서 디지털 회로로의 전환을 가능하게 한 장치입니다. 따라서 바이폴라 트랜지스터는 현대 전기 공학 발전의 기반을 마련한 기본적인 반도체 장치 중 하나로 간주 될 수 있습니다.
