I artikkelen vil du lære om MOSFET-transistorer, somdette er hva bytteordninger er. Det er en type felteffekttransistor der inngangen er elektrisk isolert fra hovedstrømmen til bærerkanalen. Og derfor kalles det en isolert gatefelteffekttransistor. Den vanligste typen felteffekttransistor som brukes i mange typer elektroniske kretser er en metall-oksid-halvleder felteffekt-felteffekttransistor eller en MOS-transistor (forkortelse for dette elementet).
МОП-транзистор представляет собой управляемый spenningsfelteffekttransistor, som skiller seg fra felteffekten ved at den har en metalloksydportelektrode som er elektrisk isolert fra hoved halvlederen av en p-kanal eller p-type kanal med et veldig tynt lag isolasjonsmateriale. Som regel er dette silisiumdioksid (eller, hvis det er enklere, så glass).
Этот ультратонкий изолированный металлический portelektroden kan betraktes som en kondensatorplate. Isolering av kontrollinngangen gjør motstanden til MOS-transistoren ekstremt høy, nesten uendelig.
Som felteffekt har MOSFET-er veldighøy inngangsimpedans. Det kan lett samle en stor mengde statisk ladning, noe som kan føre til skade hvis kretsene ikke er beskyttet nøye.
Hovedforskjellen fra feltfeltene er at MOS-transistorer er tilgjengelige i to hovedformer:
Linje mellom avløp og kildetilkoblingerer en halvlederkanal. Hvis diagrammet som MOSFET-transistorer er avbildet på er representert med en solid, solid linje, fungerer elementet i uttømningsmodus. Siden strømmen fra avløpet kan flyte med et null-portpotensial. Hvis kanallinjen vises i prikkede eller ødelagte linjer, fungerer transistoren i metningsmodus, ettersom strøm flyter med et null-portpotensial. Retningen til pilen indikerer en ledende kanal, p-type eller p-type halvlederanordning. Dessuten er innenlandske transistorer betegnet på nøyaktig samme måte som utenlandske analoger.
MOSFET-design (hva det er, er beskrevet i artikkeleni detalj) er veldig forskjellig fra felt. Begge typer transistorer bruker et elektrisk felt opprettet av spenningen over porten. For å endre strømmen av ladningsbærere, elektroner for p-kanalen eller hull for p-kanalen, gjennom halvlederkanalen, avløpskilden. Portelektroden er plassert på toppen av et veldig tynt isolasjonslag, og det er et par små områder av p-type rett under avløpet og kilden til elektrodene.
Ved hjelp av en isolert skodde forMOS-transistor gjelder ingen begrensninger. Derfor kan du koble en signalkilde i hvilken som helst polaritet (positiv eller negativ) til porten til MOSFET. Det skal bemerkes at importerte transistorer er mer vanlig enn deres innenlandske kolleger.
Это делает MOSFET устройства особенно ценными в kvaliteten på elektroniske brytere eller logiske enheter, fordi de uten ekstern påvirkning som regel ikke leder strøm. Og grunnen til dette er den høye inngangsimpedansen til lukkeren. Derfor er veldig liten eller liten kontroll nødvendig for MOS-transistorer. Tross alt er de enheter som styres utenfra med spenning.
Modusen for utmattelse er mye mindre vanlig,i stedet for å få modus uten å legge skjevspenning på porten. Det vil si at kanalen leder med null spenning ved porten, derfor er enheten "normalt lukket". I diagrammer brukes en hel linje for å indikere en normalt lukket ledende kanal.
For p-kanal MOSFET-uttømming,negativ gate-source-spenning er negativ, den vil tømme ut (derav navnet) ledningskanalen til transistorens frie elektroner. Tilsvarende, for en p-kanals MOS-transistor, vil uttømming av en positiv gate-kildespenning tømme kanalen for dens frie hull, og plassere anordningen i en ikke-ledende tilstand. Men transistoroppringeren er ikke avhengig av hvilken driftsform.
Med andre ord for uttømmingsmodus for en p-kanals MOS-transistor:
Konversasjonen gjelder også for p-kanal transistorer. Da tilsvarer utarmingsmodusen til MOS-transistoren en "normalt åpen" bryter.
Mister-transistorens utarmingsmodus er den sammepå samme måte som felteffekt-transistorer. Videre er avløpskanalen et ledende lag med elektroner og hull, som er til stede i kanaler av p-type eller p-type. Slik kanaldoping danner en ledende bane med lav motstand mellom avløpet og kilden med null spenning. Ved hjelp av en transistortester er det mulig å måle strømmer og spenninger ved utgang og inngang.
Mer vanlig med MOSFET-erer forsterkningsmodus, er det motsatt av uttømmingsmodus. Her er den ledende kanalen lett dopet eller til og med udoped, noe som gjør den ikke-ledende. Dette fører til det faktum at enheten i ventemodus ikke leder strøm (når portforspenningsspenningen er null). I diagrammer brukes en ødelagt linje for å betegne denne typen MOS-transistor for å indikere en normalt åpen strømisolerende kanal.
For å øke N-kanals MOSFET-strømavløp vil flyte bare når portspenningen tilføres porten mer enn terskelspenningen. Når en positiv spenning påføres porten til n-typen, tiltrekker MOSFET (hva det er, driftsmodus, svitsjekretser, beskrevet i artikkelen) et større antall elektroner i retning av oksydlaget rundt porten, og øker derved gevinsten (derav navnet) på kanaltykkelsen, noe som tillater fri flyt strøm.
Øk positiv gate spenningvil føre til utseende av motstand i kanalen. Dette vil ikke bli vist av transistortesteren, det kan bare kontrollere integriteten til kryssene. For å redusere videre vekst er det nødvendig å øke avløpsstrømmen. Med andre ord for forsterkningsmodus for en p-kanals MOS-transistor:
Konversasjonen gjelder for modusforsterkning av r-kanals MOS-transistorer. Ved null spenning er enheten i “Av” -modus og kanalen er åpen. Å påføre en negativ spenning på p-typen porten til MOSFET øker ledningsevnen til kanalene, og oversetter den til På. Du kan sjekke med en tester (digital eller pil). Deretter for forsterkningsmodus for p-kanalens MOS-transistor:
I forsterkningsmodus har MOSFET-er lavinngangsimpedans ledende og ekstremt høy ikke-ledende. Også deres uendelig høye inngangsimpedans på grunn av deres isolerte port. Modusforsterkningstransistorer brukes i integrerte kretsløp for å oppnå CMOS-type logiske porter og bytte strømkretser i form av både PMOS (P-kanal) og NMOS (N-kanal) innganger. CMOS er utfyllende MOS i i den forstand at denne logiske enheten har både PMOS og NMOS i sin design.
Akkurat som felteffekttransistorer, kan MOSFET-erbrukes til fremstilling av klasse A-forsterkere. Forsterkerkretser med N-kanals MOSFET vanlig forsterkningsmodus er de mest populære. Forsterkere med uttømmingsmodus med MOSFET-er er veldig lik feltanordningskretser, bortsett fra at MOSFET (hva det er og hvilke typer som er diskutert over) har en høyere inngangsimpedans.
Denne impedansen blir drevet av skjevhetens innspill.resistiv krets dannet av motstandene R1 og R2. I tillegg blir utgangen for den vanlige kilden til MOSFET-forsterkeren invertert i forsterkningsmodus, fordi når inngangsspenningen er lav, er transistorforbindelsen åpen. Dette kan sjekkes med bare en tester (digital eller til og med en peker) i arsenal. Når inngangsspenningen er høy, er transistoren på, utgangsspenningen er ekstremt lav.
