Elemento base de elementos semiconductores.en constante crecimiento. Cada nuevo invento en esta área, de hecho, cambia toda la idea de los sistemas electrónicos. Cambiando las capacidades del circuito en el diseño, hay nuevos dispositivos basados en ellos. Desde la invención del primer transistor (1948), ha pasado mucho tiempo. Las estructuras "pnp" y "npn", transistores bipolares, fueron inventadas. Con el tiempo, apareció un transistor MIS, que operaba según el principio de cambiar la conductividad eléctrica de la capa semiconductora de superficie bajo la acción de un campo eléctrico. Desde aquí y un nombre más de este elemento - campo.
La abreviatura propia TIR(metal-dieléctrico-semiconductor) caracteriza la estructura interna de este dispositivo. Y, de hecho, su obturador está aislado del drenaje y la fuente con una capa delgada no conductora. El MOSFET moderno tiene una longitud de puerta de 0,6 micrones. Solo un campo electromagnético puede pasar a través de él; esto es lo que influye en el estado eléctrico de un semiconductor.
Veamos cómo funciona el campo.Transistor, y descubrir cuál es su principal diferencia con el "hermano" bipolar. Cuando aparece un potencial necesario, un campo electromagnético aparece en su puerta. Afecta la resistencia de transición de la transición de la fuente de drenaje. Estos son algunos de los beneficios de usar este dispositivo.
- В открытом состоянии переходное сопротивление la fuente de drenaje es muy pequeña, y el transistor MIS se utiliza con éxito como una llave electrónica. Por ejemplo, puede controlar un amplificador operacional derivando la carga o participar en la operación de circuitos lógicos.
- También cabe destacar la alta impedancia de entrada del dispositivo. Este parámetro es bastante relevante cuando se trabaja en circuitos de baja tensión.
- La baja capacidad de la unión de la fuente de drenaje permite el uso de un MOSFET en dispositivos de alta frecuencia. En el proceso no hay distorsión durante la transmisión de la señal.
- El desarrollo de nuevas tecnologías en la producción.Los elementos llevaron a la creación de transistores IGBT, combinando las cualidades positivas de los elementos de campo y bipolares. Los módulos de potencia basados en ellos son ampliamente utilizados en arrancadores suaves y convertidores de frecuencia.
Al diseñar y trabajar con estos elementos,Es necesario tener en cuenta que los transistores MIS son muy sensibles a la sobretensión en el circuito y la electricidad estática. Es decir, el dispositivo puede fallar al tocar los terminales de control. Al montar o desmontar, utilice una puesta a tierra especial.
Las perspectivas de uso de este dispositivo son muybuenas Debido a sus propiedades únicas, ha encontrado una amplia aplicación en varios equipos electrónicos. Una tendencia innovadora en electrónica moderna es el uso de módulos IGBT de potencia para operar en varios circuitos, incluida la inducción.
La tecnología de su producción se mejora constantemente. Se están realizando desarrollos para escalar (disminuir) la longitud del obturador. Esto mejorará los ya buenos parámetros operativos del dispositivo.
